新建五廠開工動土典禮

福懋科技公司今天(11月9日)在雲林縣斗六市舉行新建五廠動土典禮，將興建一座地下1層及地上7層的覆晶封測廠，基地面積1,429坪，總建坪11,620坪，樓高44米，預計2025年開始量產，預估可為雲林當地帶來六百個就業機會。
福懋科技董事長李培瑛表示，現有廠房的利用率已達九成以上，且近期國內各大記憶體晶圓廠均有擴廠計畫，基於上、下游策略合作關係，福懋科技需同步擴充新廠房，以滿足客戶產能需求並提高市場佔有率。
新建五廠將以覆晶(Flip Chip)封裝及崩應、高速測試為主，新廠的設計採高規格環保標準，將使用綠色環保建材，水資源回收再利用之設計，並建置太陽能發電設備。新廠預計2024年底完成，2025年初進行無塵室工程施工，第三季開始裝機並於第四季量產，以滿足客戶需求。
李培瑛董事長指出，DRAM記憶體廣泛應用於電腦、雲端伺服器、人工智慧、物聯網、5G、汽車及各種消費型電子產品，因應未來記憶體產品高速度、高容量的需求，記憶體產品將往覆晶封裝技術發展，福懋科技規劃擴建新廠並導入封測新製程，以提升整體產能及技術能力。
福懋科技將持續在記憶體後段代工市場努力深耕，並掌握市場發展趨勢，密切觀察市場動態及供需狀況，進一步提升在記憶體封測市場的長期競爭力。